Рекомбинационно-ускоренное скольжение дислокаций в 4H-SiC и GaN при облучении электронным пучком

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Проведен анализ исследований рекомбинационно-ускоренного движения дислокаций в GaN и 4H-SiC. Показано, что в обоих кристаллах при облучении низкоэнергетичным электронным пучком дислокации могут смещаться при температуре жидкого азота. Оценены энергии активации скольжения дислокаций, стимулированного облучением электронным пучком. Приведены результаты, демонстрирующие практически безактивационную миграцию двойных перегибов вдоль 30°-ной дислокации с кремниевым ядром в 4H-SiC. Показано, что на движение дислокаций в GaN как под действием сдвиговых напряжений, так и при облучении существенное влияние оказывают локализованные препятствия. Неравновесные носители заряда, введенные облучением в GaN, не только способствуют преодолению барьера Пайерлса, но и стимулируют открепление дислокаций от препятствий.

Об авторах

Ю. О. Куланчиков

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: yakimov@iptm.ru
Россия, Черноголовка

П. С. Вергелес

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: yakimov@iptm.ru
Россия, Черноголовка

Е. Е. Якимов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: yakimov@iptm.ru
Россия, Черноголовка

Е. Б. Якимов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: yakimov@iptm.ru
Россия, Черноголовка

Список литературы

  1. Alexander H., Teichler H. // Handbook of Semiconductor Technology / Eds. Jackson K.A., Schroter W. Wiley-VCH, 2000. P. 291. https://doi.org/10.1002/9783527621842.ch6
  2. Maeda K. // Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices / Еds. Ueda O., Pearton S.J. New York: Springer Science and Business Media, 2013. P. 263. https://doi.org/10.1007/978-1-4614-4337-7_9
  3. Eberlein T.A.G., Jones R., Blumenau A.T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. 082113. https://doi.org/10.1063/1.2179115
  4. Skowronski M., Ha S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. 011101. https://doi.org/10.1063/1.2159578
  5. Camassel J., Juillaguet S. // J. Phys. D. 2007. V. 40. P. 6264. https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/20/S11
  6. Callahan P.G., Haidet B.B., Jung D. et al. // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. 081601(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.081601
  7. Ha S., Benamara M., Skowronski M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4957. https://doi.org/10.1063/1.1633969
  8. Yakimov E.B. // J. Alloys Compd. 2015. V. 627. P. 344. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.11.229
  9. Якимов Е.Б. // Кристаллография. 2021. Т. 66. № 4. С. 540. https://doi.org/10.31857/S0023476121040226
  10. Egerton R.F., Li P., Malac M. // Micron. 2004. V. 35. P. 399. https://doi.org/10.1016/j.micron.2004.02.003
  11. Tokunaga T., Narushima T., Yonezawa T. et al. // J. Microscopy. 2012. V. 248. Pt. 3. P. 228. https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.2012.03666.x
  12. Bouscaud D., Pesci R., Berveiller S. et al. // Ultramicroscopy. 2012. V. 115. P. 115. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2012.01.018
  13. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // J. Alloys Compd. 2020. V. 837. 155470. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.155470
  14. Ishikawa Y., Sudo M., Yao Y.-Z. et al // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 225101. https://doi.org/10.1063/1.5026448
  15. Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. C. 2017. V. 14. 1600266. https://doi.org/10.1002/pssc.201600266
  16. Якимов Е.Б. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2018. № 10. С. 66. https://doi.org/10.1134/S0207352818100219
  17. Davidson S.M., Dimitriadis C.A. // J. Microsc. 1980. V. 118. P. 275. https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.1980.tb00274.x
  18. Yakimov E.B., Polyakov A.Y., Shchemerov I.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. 202106. https://doi.org/10.1063/5.0053301
  19. Gsponer A., Knopf M., Gagg P. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2024. V. 1064. 169412. https://doi.org/10.1016/j.nima.2024.169412
  20. Yakimov E.B., Regula G., Pichaud B. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. 084903. https://doi.org/10.1063/1.4818306
  21. Idrissi H., Pichaud B., Regula G., Lancin M. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 113533. https://doi.org/10.1063/1.2745266
  22. Orlov V.I., Regula G., Yakimov E.B. // Acta Mater. 2017. V. 139. P. 155. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.07.046
  23. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. A. 2022. V. 219. 2200119. https://doi.org/10.1002/pssa.202200119
  24. Orlov V.I., Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. A. 2019. V. 216. 1900151. https://doi.org/10.1002/pssa.201900151
  25. Sudo M., Ishikawa Y., Yao Y.-Z. et al. // Mater. Sci. Forum. 2018. V. 924. P. 151. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.151
  26. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // J. Phys. D. 2022. V. 55. 245101. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1b
  27. Yamashita Y., Nakata R., Nishikawa T. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 161580. https://doi.org/10.1063/1.5010861
  28. Konishi K., Fujita R., Shima A. et al. // Mater. Sci. Forum. 2017. V. 897. P. 214. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.214
  29. Tawara T., Matsunaga S., Fujimoto T. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 025707. https://doi.org/10.1063/1.5009365
  30. Yakimov E.E., Yakimov E.B., Orlov V.I., Gogova D. // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 7. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.05.014
  31. Ohno Y., Yonenaga I., Miyao K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. 042102. https://doi.org/10.1063/1.4737938
  32. Regula G., Lancin M., Pichaud B. et al. // Philos. Mag. 2013. V. 93. P. 1317. https://doi.org/10.1080/14786435.2012.745018
  33. Savini G. // Phys. Status Solidi. C. 2007. V. 4. P. 2883. https://doi.org/10.1002/pssc.200675433
  34. Yang J., Izumi S., Muranaka R. et al. // Mech. Eng. J. 2015. V. 2. № 4. P. 1. https://doi.org/10.1299/mej.15-00183
  35. Miao M.S., Limpijumnong S., Lambrecht W.R.L. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 4360. https://doi.org/10.1063/1.1427749
  36. Galeckas A., Linnoris J., Pirouz P. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. 025502. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.025502
  37. Caldwell J.D., Stahlbush R.E., Ancona M.G. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. 044503 https://doi.org/10.1063/1.3467793
  38. Pirouz P. // Phys. Status Solidi. A. 2013. V. 210. P. 181. https://doi.org/10.10.1002/pssa.201200501
  39. Mannen Y., Shimada K., Asada K. et al. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. 085705. https://doi.org/10.1063/1.5074150
  40. Iijima A., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. 092105. https://doi.org/10.1063/1.5143690
  41. Miyanagi T., Kamata I., Tsuchida H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. 062104. https://doi.org/10.1063/1.2234740
  42. Caldwell J.D., Stahlbush R.E., Hobart K.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. 143519. https://doi.org/10.1063/1.2719650
  43. Caldwell J.D., Glembocki O.J., Stahlbush R.E. et al. // J. Electron. Mater. 2008. V. 37. P. 699. https://doi.org/10.1007/s11664-007-0311-5
  44. Okada A., Nishio J., Iijima R. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2018. V. 57. 061301. https://doi.org//10.7567/JJAP.57.061301
  45. Feklisova O.V., Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. 172101. https://doi.org/10.1063/5.0004423
  46. Maeda K., Murata K., Kamata I. et al. // Appl. Phys. Express. 2021. V. 14. 044001. https://doi.org/10.35848/1882-0786/abeaf8
  47. Iijima A., Kimoto T. // J. Appl. Phys. 2019. V. 126. 105703. https://doi.org/10.1063/1.5117350
  48. Bradby J.E., Kucheyev S.O., Williams J.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 383. https://doi.org/10.1063/1.1436280
  49. Jahn U., Trampert A., Wagner T. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2002. V. 192. P. 79. https://doi.org/10.1002/1521-396X(200207)192:1<79::AID-PSSA79>3.0.CO;2-5
  50. Jian S.R. // Appl. Surf. Sci. 2008. V. 254. P. 6749. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.04.078
  51. Huang J., Xu K., Gong X.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. 221906. https://doi.org/10.1063/1.3593381
  52. Orlov V.I., Vergeles P.S., Yakimov E.B. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2019. V. 216. 1900163. https://doi.org/10.1002/pssa.201900163
  53. Orlov V.I., Polyakov A.Y., Vergeles P.S. et al. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2021. V. 10. 026004. https://doi.org/10.1149/2162-8777/abe4e9
  54. Yakimov E.B., Kulanchikov Y.O., Vergeles P.S. // Micromachines. 2023. V. 14. 1190. https://doi.org/ 10.3390/mi14061190
  55. Maeda K., Suzuki K., Ichihara M. et al. // Phys. B. Condens. Matter. 1999. V. 273. P. 134. http://dx.doi.org/10.1016/S0921-4526(99)00424-X
  56. Tomiya S., Goto S., Takeya M. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2003. V. 200. P. 139. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200303322
  57. Yakimov E.B., Vergeles P.S., Polyakov A.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. 132101. http://dx.doi.org/10.1063/1.4916632
  58. Якимов Е.Б., Вергелес П.С. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2016. № 9. С. 81. http://dx.doi.org/10.7868/S0207352816090171
  59. Yakimov E.B., Vergeles P.S., Polyakov A.Y. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. 05FM03. http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FM03
  60. Medvedev O.S., Vyvenko O.F., Bondarenko A.S. et al. // AIP Conf. Proc. 2016. V. 1748. 020011. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954345
  61. Vergeles P.S., Orlov V.I., Polyakov A.Y. et al. // J. Alloys Compd. 2019. V. 776. P. 181. http://doi.org/10.1063/1.4954345
  62. Vergeles P.S., Kulanchikov Yu.O., Polyakov A.Y. et al. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2022. V. 11. 015003. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac4bae

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».