Edge absorption and circular photogalvanic effect in 2D topological insulator edges


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The electron absorption on the edge states and the edge photocurrent of a 2D topological insulator (TI) are studied. We consider the optical transitions within linear edge branches of the energy spectrum. The interaction with impurities is taken into account. The circular polarization is found to produce the edge photocurrent, the direction of which is determined by light polarization and edge orientation.

Авторлар туралы

M. Entin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: entin@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

L. Magarill

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: entin@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016