Contact potential difference in the absence of current through the sample in the quantum hall effect regime in InGaAs/InAlAs heterostructure - PDF (Russian)

Согласие на обработку персональных данных

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).