Carbothermal synthesis of pure silicon carbide powder using glucose and ascorbic acid

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Проблема дешевого источника углерода для карботермического синтеза высокочистого порошка карбида кремния может быть решена при использовании углеродных остатков органических соединений. Рассмотрен и оптимизирован модельный процесс синтеза, использующий углерод, полученный при графитизации глюкозы. Данные рентгеновского фазового анализа показали, что полученный материал представляет собой смесь гексагональных политипов карбида кремния. Результаты масс-спектрометрических исследований продемонстрировали высокую чистоту финишного продукта по сравнению с исходным диоксидом кремния (по Mg, Al, Ca и Fe) и перспективность предложенной методики синтеза.

作者简介

N. Sharenkova

Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: aswan61@yandex.ru
Polytechnicheskaya St., 26, St. Petersburg, 194021 Russia

A. Lebedev

Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences; Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI" named after V. I. Ulyanov (Lenin)

Email: aswan61@yandex.ru
Polytechnicheskaya St., 26, St. Petersburg, 194021 Russia; Professora Popova St., 5, Lit. F, St. Petersburg, 197022 Russia

Y. Bykov

Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI" named after V. I. Ulyanov (Lenin)

编辑信件的主要联系方式.
Email: aswan61@yandex.ru
Professora Popova St., 5, Lit. F, St. Petersburg, 197022 Russia

参考

  1. Tairov Yu., Lebedev A., Avrov D. The main defects of silicon carbide ingots and epitaxial layers. Saarbrucken: Lambert Academic, 2016. 76 p.
  2. Bykov Y.O, Lebedev A.O., Shcheglov M.P. On the structural perfection of large-diameter silicon carbide ingots // Inorg. Mater. 2020. V. 56. № 9. P. 928‒933. https://doi.org/10.1134/S0020168520090034
  3. Квашина Т.С., Крутский Ю.Л., Черкасова Н.Ю., Кузьмин Р.И., Тюрин А.Г. Синтез высокодисперсного карбида кремния из разных шихтовых материалов // Докл. АН ВШ РФ. Технические науки. 2017. № 4(37). С. 80–90. https://doi.org/10.17212/1727-2769-2017-4-80-90
  4. Kanemoto M., Endo Sh., Hashimoto M. Process for producing high-purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal: Пат. TW364894, Taiwan, № 19950110302 19951003; заявл. 21.07.1999.
  5. Cho Kwang Youn, Shin Dong Geun, Riu Doh Hyung. Fabrication of ultra-high-purity of silicon carbide fine powder: Пат. KR20110113524, Korea, № 20100032965 20100409; заявл. 17.10.2011.
  6. Hayashi M., Yamagishi A., Ametani T. Preparation of silicon carbide powder having high purity: Пат. JPS60141612, Japan, № 19830245074 19831228; заявл. 26.07.1985.
  7. Liu Jun, Zhang Haibo, Wang Gang et al. Production method of high-purity silicon carbide micro powder: Пат. CN114368754, China, № 202210126373 20220210; заявл. 19.04.2022.
  8. Ma Kangfu, Wei Ruxing, Li Bin et al. Preparation method of high-purity silicon carbide powder for single crystal growth: Пат. CN111484019, China, № 202010342701 20200427; заявл. 04.08.2020.
  9. Lee Kang Ho, Kim Sun Uk. Composition for producing the high-purity silicon carbide powder and method for producing the high-purity silicon carbide powder used it: Пат. KR101448241, Korea, № 20140035962 20140327; заявл. 13.10.2014.
  10. ГОСТ 23463-79. Графит порошковый особой чистоты. Технические условия. М.: Гос. Комитет СССР по управлению качеством продукции и стандартам, 1979. 10 с.
  11. Preparation method of high-purity silicon carbide powder: Пат. CN111704139, China HARBIN KEYOU SEMICONDUCTOR INDUSTRY EQUIPMENT AND TECH RESEARCH INSTITUTE CO LTD. № 02010608931 20200629; заявл. 25.09.2020.
  12. Hongmin Kan, Jin Li, Xiaoyang Wang, Ning Zhang. Wet chemical continuous synthesizing method for high-purity superfine silicon carbide powder: Пат. CN101734661, China, № 200910248549 20091218; заявл. 16.06.2010.
  13. Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии. М.: Просвещение, 2008. 753 с.
  14. Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.И. и др. Инициирование монокристаллического роста при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2009. № 4. С. 4–8.
  15. Суриков В.Т. Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой // Аналитика и контроль. 2008. Т. 12. № 3–4. С. 93–100.
  16. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Л.: Химия, 1978. 394 с.
  17. Гурецкая В.Л., Бальян Х.В. Органическая химия. М.: Высшая школа, 1983. 320 с.
  18. Abolpour B., Shamsoddini R. Mechanism of reaction of silica and carbon for producing silicon carbide // Prog. React. Kinet. Mech. 2019. V. 9. № 4. P. 1–14. https://doi.org/ 10.1177/1468678319891416
  19. Авров Д.Д, Андреева Н.В., Быков Ю.О., Латникова Н.М., Лебедев А.О., Шаренкова Н.В. Способ получения порошка карбида кремния: Пат. RU2791964, РФ, № 2022114163; опубл. 14.03.2023, Бюл. № 8.
  20. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, 1969. 276 с.
  21. ГОСТ 6038-79. Реактивы. D-глюкоза. Технические условия. М.: ИПК Изд-во стандартов, 1979. 7 с.
  22. ГОСТ 9428-73. Реактивы. Кремний (IV) оксид. Технические условия. М.: Изд-во стандартов, 1973. 9 с.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».