Микроструктурирование аморфных теллуридных пленок фемтосекундными лазерными импульсами

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры (ЛИППС) из чередующихся линий аморфной и кристаллической фаз в тонкопленочных халькогенидных фазопеременных материалах перспективны для приложений в перестраиваемых энергонезависимых фотонных устройствах. В работе рассмотрена фемтосекундная модификация аморфных пленок халькогенидных соединений Ge2Sb2Te5, GeTe и Sb2Te3. Анализ закристаллизованных областей и областей формирования ЛИППС проводили с помощью эллипсометрии, оптической и атомно-силовой микроскопии, а также спектроскопии комбинационного рассеяния. В узком диапазоне плотностей энергий фемтосекундных импульсов в пленках GeTe и Ge2Sb2Te5записаны аморфно-кристаллические ЛИППС, в то время как в Sb2Te3двухфазные периодические структуры не формировались ни при каких значениях плотности энергии.

Об авторах

П. А. Смирнов

Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук; ООО НПЦ “Лазеры и аппаратура ТМ”

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
пл. Шокина, 1, Зеленоград, Москва, 124498 Россия; Ленинский пр., 53, Москва, 119991 Россия; проезд 4922, 4, стр.4, Зеленоград, Москва, 124498 Россия

Я. С. Лебедева

Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
пл. Шокина, 1, Зеленоград, Москва, 124498 Россия

К. Г. Никитин

Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
пл. Шокина, 1, Зеленоград, Москва, 124498 Россия

Д. О. Кузовков

Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук; ООО НПЦ “Лазеры и аппаратура ТМ”

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
пл. Шокина, 1, Зеленоград, Москва, 124498 Россия; Ленинский пр., 53, Москва, 119991 Россия; проезд 4922, 4, стр.4, Зеленоград, Москва, 124498 Россия

М. Е. Федянина

Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
пл. Шокина, 1, Зеленоград, Москва, 124498 Россия

С. А. Козюхин

Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
Ленинский пр., 31, Москва, 119991 Россия

И. А. Будаговский

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук

Email: petrsmirnov2009@gmail.com
Ленинский пр., 53, Москва, 119991 Россия

М. П. Смаев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: smayev@lebedev.ru
Ленинский пр., 53, Москва, 119991 Россия

Список литературы

  1. Shportko K., Kremers S., Woda M., Lencer D., Robertson J., Wuttig M.Resonant bonding in crystalline phase-change materials // Nat. Mater. 2008. V. 7. № 8. P. 653. https://doi.org/10.1038/nmat2226
  2. Prabhathan P., Sreekanth K.V., Teng J., Ko J.H., Yoo Y.J., Jeong H.-H., Lee Y., Zhang S., Cao T., Popescu C.-C., Mills B., Gu T., Fang Z., Chen R., Tong H., Wang Y., He Q., Lu Y., Liu Z., Yu H., Mandal A., Cui Y., Ansari A.S., Bhingardive V., Kang M., Lai C.K., Merklein M., Müller M.J., Song Y.M., Tian Z., Hu J., Losurdo M., Majumdar A., Miao X., Chen X., Gholipour B., Richardson K.A., Eggleton B.J., Wuttig M., Singh R.Roadmap for phase change materials in photonics and beyond // iScience. 2023. V. 26. № 10. P. 107946. https://doi.org/10.1016/j.isci.2023.107946
  3. Wuttig M., Yamada N.Phase-change materials for rewriteable data storage // Nat. Mater. 2007. V. 6. № 11. P. 824. https://doi.org/10.1038/nmat2009
  4. Chen X., Chen L., Sun L., Wei T., Ling Y., Hu J., Cheng M., Liu Q., Wang R., Li W., Liu B.Ge2Sb2Te5Thin film as a promising heat-mode resist for high-resolution direct laser writing lithography // Phys. Status Solidi RRL. 2023. V. 17. № 12. P. 2300262.https://doi.org/10.1002/pssr.202300262
  5. Liu Z.C., Wang L.Applications of phase change materials in electrical regime from conventional storage memory to novel neuromorphic computing // IEEE Access. 2020. V. 8. P. 76471. https://doi.org/10.1109/ACCESS.2020.2990536
  6. Zhu Q., Shi S., Wang J., Fang Q., Li M., Dong J.Linear optical switch metasurface composed of cross-shapednano-block and Ge2Sb2Te5film // Opt. Commun. 2021. V. 498. P. 127222. https://doi.org/10.1016/j.optcom.2021.127222
  7. Raoux S., Wełnic W., Ielmini D.Phase change materials and their application to nonvolatile memories // Chem. Rev. 2010. V. 110. № 1. P. 240. https://doi.org/10.1021/cr900040x
  8. Lotnyk A., Ross U., Dankwort T., Hilmi I., Kienle L., Rauschenbach B.Atomic structure and dynamic reconfiguration of layered defects in van der Waals layered Ge-Sb-Te based materials // Acta Mater. 2017. V. 141. P. 92. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.09.012
  9. Mio A.M., Privitera S.M.S., Bragaglia V., Arciprete F., Bongiorno C., Calarco R., Rimini E.Chemical and structural arrangement of the trigonal phase in GeSbTe thin films // Nanotechnology. 2017. V. 28. № 6. P. 065706. https://doi.org/10.1088/1361-6528/28/6/065706
  10. Lotnyk A., Hilmi I., Behrens M., Rauschenbach B.Temperature dependent evolution of local structure in chalcogenide-based superlattices // Appl. Surf. Sci. 2021. V. 536. P. 147959. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147959
  11. Kozyukhin S.A., Lazarenko P.I., Popov A.I., Eremenko I.L.Phase change memory materials and their applications // Russ. Chem. Rev. 2022. V. 91. № 9. P. RCR5033. https://doi.org/10.1070/RCR5033
  12. Bahl S.K., Chopra K.L.Amorphous versus crystalline GeTe films. II. Optical properties // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. № 12. P. 4940. https://doi.org/10.1063/1.1657318
  13. Tran N.T., Chang Y.C., Faragalli D.A., Roberts S.S.,Josefowicz J.Y., Shing Y.H.GeTe thin films: amorphousand crystalline characteristics // J. Vac. Sci. Technol., A. 1983. V. 1. № 2. P. 345. https://doi.org/10.1116/1.572131
  14. Bruns G., Merkelbach P., Schlockermann C., Salinga M., Wuttig M., Happ T.D., Philipp J.B., Kund M.Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. № 4. P. 043108. https://doi.org/10.1063/1.3191670
  15. Ionin V.V., Kiselev A.V., Eliseev N.N., Mikhalevsky V.A.,Pankov M.A., Lotin A.A.Multilevel reversible laser-induced phase transitions in GeTe thin films // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. № 1. P. 011901. https://doi.org/10.1063/5.0014375
  16. Gawelda W., Siegel J., Afonso C.N., Plausinaitiene V., Abrutis A., Wiemer C.Dynamics of laser-induced phase switching in GeTe films // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 12. P. 123102. https://doi.org/10.1063/1.3596562
  17. Eliseev N.N., Kiselev A.V., Ionin V.V., Mikhalevsky V.A., Burtsev A.A., Pankov M.A., Karimov D.N., Lotin A.A.Wide range optical and electrical contrast modulation by laser-induced phase transitions in GeTe thin films // Results Phys. 2020. V. 19. P. 103466. https://doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103466
  18. Fujimori S., Yagi S., Yamazaki H., Funakoshi N.Crystallization process of Sb-Te alloy films for optical storage // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. № 3. P. 1000. https://doi.org/10.1063/1.341908
  19. Li S., Huang H., Zhu W., Wang W., Chen K., Yao D.-X., Wang Y., Lai T., Wu Y., Gan F.Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous Sb2Te3film and coherent phonon spectroscopy characterization and optical injection of electron spins // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. № 5. P. 053523. https://doi.org/10.1063/1.3633228
  20. Reddy G.B., Dhar A., Malhotra L.K., Sharmila E.K.Comparative study of crystallization processes in Sb2Te3films using laser and thermal annealing techniques // Thin Solid Films. 1992. V. 220. № 1. P. 111. https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90557-R
  21. Liu W.-L., Chen Y., Li T., Song Z.-T., Wu L.-C.Effect of Mo doping on phase change performance of Sb2Te3 // Chin. Phys. B. 2021. V. 30. № 8. P. 086801. https://doi.org/10.1088/1674-1056/abe22d
  22. Zhang H., Liu C.-X., Qi X.-L., Dai X., Fang Z., Zhang S.-C.Topological insulators in Bi2Se3, Bi2Te3and Sb2Te3with a single Dirac cone on the surface // Nat. Phys. 2009. V. 5. № 6. P. 438. https://doi.org/10.1038/nphys1270
  23. Hsieh D., Xia Y., Qian D., Wray L., Meier F., Dil J.H., Osterwalder J., Patthey L., Fedorov A.V., Lin H., Bansil A., Grauer D., Hor Y.S., Cava R.J., Hasan M.Z.Observation of time-reversal-protected single-Dirac-conetopological-insulator states in Bi2Te3and Sb2Te3 // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. № 14. P. 146401. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.146401
  24. Kim J., Kim J., Jhi S.-H.Prediction of topological insulating behavior in crystalline Ge-Sb-Te // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. № 20. P. 201312. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.201312
  25. Bonse J., Kirner S.V., Krüger J., Laser-induced periodic surface structures (LIPSS) // Handbook of laser micro- and nano-engineering / Ed. Sugioka K. N.Y.: Springer, 2020. Р. 59. https://doi.org/10.1007/978-3-319-69537-2_17-2.
  26. Mittal K.L., Lei W.-S.Laser technology: Applications in adhesion and related areas. Beverly: Wiley, 2018.
  27. Bonse J., Krüger J., Höhm S., Rosenfeld A.Femtosecond laser-induced periodic surface structures // J. Laser Appl. 2012. V. 24. № 4. P. 042006. https://doi.org/10.2351/1.4712658
  28. Sipe J.E., Young J.F., Preston J.S., van Driel H.M.Laser-induced periodic surface structure. I. Theory // Phys. Rev. B. 1983 V. 27. № 2. P. 1141. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.27.1141
  29. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.Н.Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика // Успехи физ. наук. 1985. Т. 147. № 12. С. 675.
  30. Bonse J., Rosenfeld A., Krüger J.On the role of surface plasmon polaritons in the formation of laser-induced periodic surface structures upon irradiation of silicon by femtosecond-laser pulses // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. № 10. P. 104910. https://doi.org/10.1063/1.3261734
  31. Wu Q., Ma Y., Fang R., Liao Y., Yu Q., Chen X., Wang K.Femtosecond laser-induced periodic surface structure on diamond film // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. № 11. P. 1703. https://doi.org/10.1063/1.1561581
  32. Volkov R.V., Golishnikov D.M., Gordienko V.M., Savel’ev A.B. Overheated plasma at the surface of a target with a periodic structure induced by femtosecond laser radiation // JETP Lett. 2003. V. 77. № 9. P. 473. https://doi.org/10.1134/1.1591972
  33. Gnilitskyi I., Derrien T.J.Y., Levy Y., Bulgakova N.M., Mocek T., Orazi L.High-speed manufacturing of highly regular femtosecond laser-induced periodic surface structures: physical origin of regularity // Sci. Rep. 2017. V. 7. № 1. P. 8485. https://doi.org/10.1038/s41598-017-08788-z
  34. Dostovalov A.V., Korolkov V.P., Babin S.A.Formation of thermochemical laser-induced periodic surface structures on Ti films by a femtosecond IR Gaussian beam: regimes, limiting factors, and optical properties // Appl. Phys. B. 2016. V. 123. № 1. P. 30.https://doi.org/10.1007/s00340-016-6600-z
  35. Öktem B., Pavlov I., Ilday S., Kalaycıoğlu H., Rybak A., Yavaş S., Erdoğan M., Ilday F.Ö.Nonlinear laser lithography for indefinitely large-area nanostructuring with femtosecond pulses // Nat. Photonics. 2013. V. 7. № 11. P. 897. https://doi.org/10.1038/nphoton.2013.272
  36. Katsumata Y., Morita T., Morimoto Y., Shintani T., Saiki T.Self-organization of a periodic structure between amorphous and crystalline phases in a GeTe thin film induced by femtosecond laser pulse amorphization // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 3. P. 031907. https://doi.org/10.1063/1.4890862
  37. Kozyukhin S., Smayev M., Sigaev V., Vorobyov Y., Zaytseva Y., Sherchenkov A., Lazarenko P.Specific Features of formation of laser-induced periodic surface structures on Ge2Sb2Te5amorphous thin films under illumination by femtosecond laser pulses // Phys. Status Solidi B. 2020. V. 257. № 11. P. 1900617. https://doi.org/10.1002/pssb.201900617
  38. Zabotnov S., Kolchin A., Shuleiko D., Presnov D., Kaminskaya T., Lazarenko P., Glukhenkaya V., Kunkel T., Kozyukhin S., Kashkarov P.Periodic relief fabrication and reversible phase transitions in amorphous Ge2Sb2Te5thin films upon multi-pulse femtosecond irradiation // Micro. 2022. V. 2. № 1. P. 88. https://doi.org/10.3390/micro2010005
  39. Trofimov P.I., Bessonova I.G., Lazarenko P.I., Kirilenko D.A., Bert N.A., Kozyukhin S.A., Sinev I.S.Rewritable and tunable laser-induced optical gratings in phase-change material films // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2021. V. 13. № 27. P. 32031. https://doi.org/10.1021/acsami.1c08468
  40. Smayev M.P., Lazarenko P.I., Budagovsky I.A., Yakubov A.O., Borisov V.N., Vorobyov Y.V., Kunkel T.S., Kozyukhin S.A.Direct single-pass writing of two-phase binary diffraction gratings in a Ge2Sb2Te5thin film by femtosecond laser pulses // Opt. Laser Technol. 2022. V. 153. Р. 108212. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2022.108212
  41. Zhao K., Han W., Han Z., Zhang X., Zhang X., Duan X., Wang M., Yuan Y., Zuo P.Ultrafast laser-induced integrated property–structure modulation of Ge2Sb2Te5for multifunction and multilevel rewritable optical recording // Nanophotonics. 2022. V. 11. № 13. P. 3101. https://doi.org/10.1515/nanoph-2022-0133
  42. Смаев М.П., Лазаренко П.И., Федянина М.Е., Будаговский И.А., Рааб А., Сагунова И.В., Козюхин С.А.Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge2Sb2Te5при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 2. С. 196. https://doi.org/10.21883/OS.2023.02.55005.15-23
  43. Li Y., Stoica V.A., Endicott L., Wang G., Sun H., Pipe K.P., Uher C., Clarke R.Femtosecond laser-induced nanostructure formation in Sb2Te3 // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. № 12. P. 121903. https://doi.org/10.1063/1.3634014
  44. Li Y., Stoica V.A., Sun K., Liu W., Endicott L., Walrath J.C., Chang A.S., Lin Y.-H., Pipe K.P., Goldman R.S., Uher C., Clarke R.Ordered horizontal Sb2Te3nanowires induced by femtosecond lasers // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 20. P. 201904.https://doi.org/10.1063/1.4902073
  45. Jellison G.E., Jr., Modine F.A.Parameterization of the optical functions of amorphous materials in the interband region // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. № 3. P. 371. https://doi.org/10.1063/1.118064
  46. Smayev M.P., Smirnov P.A., Budagovsky I.A., Fedyanina M.E., Glukhenkaya V.B., Romashkin A.V., Lazarenko P.I., Kozyukhin S.A.Cylindrical laser beams for a-Ge2Sb2Te5thin film modification // J. Non-Cryst. Solids. 2024. V. 633. P. 122952. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2024.122952
  47. Будаговский И.А., Кузовков Д.О., Лазаренко П.И., Смаев М.П.Анализ фемтосекундной модификации тонких пленок a-Ge2Sb2Te5методом XZ-сканирования // Оптика и спектроскопия. 2024. Т. 132. № 1. С. 27. https://doi.org/10.61011/OS.2024.01.57545.7-24
  48. Němec P., Přikryl J., Nazabal V., Frumar M.Optical characteristics of pulsed laser deposited Ge–Sb–Te thin films studied by spectroscopic ellipsometry // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 7. P. 073520. https://doi.org/10.1063/1.3569865
  49. Born M., Wolf E.Principles of optics: electromagnetic theory of propagation, interference and diffraction of light. N.Y.: Elsevier, 2013.
  50. Шерченков А.А., Козюхин С.А., Лазаренко П.И., Бабич А.В., Богословский Н.А., Сагунова И.В., Редичев Е.Н.Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb2Te3 // Физика и техника полупроводников.2017.Т. 51. № 2.С. 154. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44096.8270
  51. Belousov D.A., Dostovalov A.V., Korolkov V.P., Mikerin S.L.A microscope image processing method for analyzing TLIPSS structures // Comput. Opt. 2019. V. 43. № 6. P. 936. https://doi.org/10.18287/2412-6179-2019-43-6-936-945
  52. Bragaglia V., Holldack K., Boschker J.E., Arciprete F., Zallo E., Flissikowski T., Calarco R.Far-infrared and Raman spectroscopy investigation of phonon modes in amorphous and crystalline epitaxial GeTe-Sb2Te3alloys // Sci. Rep. 2016. V. 6. № 1. P. 28560.https://doi.org/10.1038/srep28560
  53. Andrikopoulos K.S., Yannopoulos S.N., Voyiatzis G.A., Kolobov A.V., Ribes M., Tominaga J.Raman scattering study of the a-GeTe structure and possible mechanism for the amorphous to crystal transition // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. V. 18. № 3. P. 965. https://doi.org/10.1088/0953-8984/18/3/014
  54. Urban P., Schneider M.N., Erra L., Welzmiller S., Fahrnbauer F., Oeckler O.Temperature dependent resonant X-ray diffraction of single-crystalline Ge2Sb2Te5 // CrystEngComm. 2013. V. 15. № 24. P. 4823. https://doi.org/10.1039/C3CE26956F
  55. Da Silva J.L.F., Walsh A., Lee H.Insights into the structure of the stable and metastable GeTe, Sb2Te3compounds // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. № 22. P. 224111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.78.224111
  56. Kolobov A.V., Fons P., Frenkel A.I., Ankudinov A.L., Tominaga J., Uruga T.Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media // Nat. Mater. 2004. V. 3. № 10. P. 703. https://doi.org/10.1038/nmat1215
  57. Sun Z., Zhou J., Ahuja R.Structure of phase change materials for data storage // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. № 5. P. 055507. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.055507
  58. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986.
  59. Sittner E.-R., Siegert K.S., Jost P., Schlockermann C., Lange F.R.L., Wuttig M.(GeTe)x–(Sb2Te3)1−x–phase-change thin films as potential thermoelectric materials // Phys. Status Solidi A. 2013. V. 210. № 1. P. 147. https://doi.org/10.1002/pssa.201228397

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».