Влияние дисперсности на магнитные свойства композитов полупроводник/ферромагнетик GaSb/MnSb

封面

如何引用文章

全文:

详细

Изучено влияние дисперсности на магнитные свойства сплавов системы GaSb–MnSb, полученных вакуумно-ампульным методом при различных скоростях охлаждения. Методами Дебая–Шеррера, оптической и электронной микроскопии на двух составах (мол. %) – эвтектическом 59 GaSb–41 MnSb и заэвтектическом 30 GaSb–70 MnSb – показано, что с увеличением скорости кристаллизации от 0.1 до 60°С/с размеры кристаллитов MnSb уменьшаются в ⁓10 раз, при этом более интенсивное уменьшение размеров кристаллитов происходило для эвтектического состава. Размер кристаллитов MnSb определял магнитные свойства сплавов. Сплавы являлись ферромагнетиками, при этом с ростом дисперсности изменялся характер магнетосопротивления и повышалась температура Кюри. Для эвтектического состава при скорости кристаллизации 60°С/с изменялся знак магнетосопротивление, оно становилось отрицательным, что свидетельствовует о появлении спиновой поляризации в сплаве. Величина магнитного поля насыщения при этом составила 0.13 Тл. Температурная зависимость сопротивления имела линейный характер как в отсутствие, так и при наличии магнитного поля. Композиты, полученные при высоких скоростях охлаждения, обладали более высокой однородностью распределения фаз, что важно для применения в качестве прекурсоров при изготовлении спин-поляризованных гранулированных структур.

全文:

ВВЕДЕНИЕ

В качестве материалов спинтроники используют мультислои, образованные сочетанием нанослоев ферромагнетика и немагнетика [1–4]. В таких мультислоях имеют место эффекты гигантского магнетосопротивления (ГМС) и туннельного магнетосопротиваления (ТМС) [5, 6]. Мультислои получают методом молекулярной эпитаксии. Этот метод довольно ограничен и трудоемок. Поэтому большое внимание уделяется гранулированным структурам, которые рассматриваются как альтернатива мультислоев. Для гранулированных структур также характерны эффекты ГМС и ТМС [7, 8]. Гранулированные структуры могут быть получены более распространенными методами: в частности, лазерной абляцией [9], магнетронным распылением и др. [10, 11]. В качестве прекурсоров в этих методах используют композиты, состоящие из ферромагнетика и немагнитной матрицы [12], например композиты полупроводник/ферромагнетик [13]. Равномерное распределение фаз в композитах связано с их дисперсностью [14].

В качестве объекта исследования были выбраны композиты GaSb/MnSb, что обусловлено уникальными свойствами антимонидов марганца и галлия. Антимонид марганца – магнитомягкий ферромагнетик с температурой Кюри (TС) выше комнатной [15–19]. Антимонид галлия – полупроводник с высокой подвижностью и значительной величиной свободного пробега носителей заряда [20–22]. Это делает его перспективным в качестве материала матрицы гранулированной структуры. Выбор этих соединений определялся также тем, что между ними имеет место эвтектический тип взаимодействия с малой величиной взаимной растворимости [23, 24].

Целью работы было исследование влияния дисперсности на магнитные свойства и однородность распределения фаз в сплавах эвтектического и заэвтектического составов композитов GaSb/MnSb.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Синтез образцов. Сплавы системы GaSb–MnSb эвтектического и заэвтектического составов (мол. %) соответственно: 59 GaSb–41 MnSb и 30 GaSb–70 MnSb – были синтезированы непосредственным сплавлением высокочистых элементов Mn, Sb и Ga в печи электросопротивления с минимальным температурным градиентом по длине кварцевых графитизированных ампул, что предотвращало перенос легколетучей сурьмы из зоны реакции. Сплавление проводили с выдержкой 30 ч при 850°С. Ампулы откачивали до остаточного вакуума 10–2 Па и отпаивали.

Были синтезированы образцы двух составов. Для первого состава расплавы охлаждали в режиме выключенной печи со скоростью ~0.1°С/с. Во втором случае расплавы закаливали со скоростью ~60°С/с [25, 26].

Методы исследования. Идентификацию образцов проводили с помощью рентгенофазового анализа (РФА), растровой электронной микроскопии (РЭМ) и микроструктурного анализов. РФА проводили в центре коллективного пользования ИОНХ РАН на дифрактометре BRUKERD8 ADVANCE (CuKα-излучение, λ = 0.1540 нм, U = 40 кВ, I = 40 мА). Съемку осуществляли с шагом 0.005° в диапазоне углов 2θ 10°–85° с выдержкой в каждой точке в течение 2 с. Обработку рентгенограмм проводили на основе базы данных ICDD PDF-2 и программных сред Diffrac.SuiteEVA и Topas. Подготовка образцов для микроструктурного анализа включала резку слитков на шайбы, шлифовку абразивом карбида кремния с зернистостью от 20 до 1 мкм. Для оптических исследований проводили травление образцов в разбавленном растворе азотной кислоты с последующей отмывкой в ультразвуковой ванне. Микроструктуру образцов изучали с помощью оптического микроскопа EPIQUANT и растрового электронного микроскопа Tescan Amber GMH в центре коллективного пользования ИОНХ РАН. Элементный состав определяли с применением детекторов SE2, BSE и элементного картирования методом рентгеноспектрального микроанализа. Съемку проводили с нескольких областей поверхности образцов, а затем данные по составу усреднялись. Температурные зависимости намагниченности измеряли пондеромоторным методом с помощью автоматизированного магнитометра в магнитном поле 0.86 Тл в диапазоне температур ~80–650 K. Электромагнитные измерения проводили на установке, состоящей из высокоточного источника тока, мультиметра Keithley – DMM6500 с программным обеспечением и постоянного магнита. Измерения проводили, используя 4-контактный метод в магнитных полях 0–0.27 Тл. Качество электрических контактов проверяли путем измерения вольтамперных характеристик.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Синтезированные композиты были идентифицированы с помощью РФА. На рис. 1 представлены рентгенограммы образцов состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb, полученных при разных скоростях охлаждения: I – vохл = 0.1°С/с, II – vохл = 60°С/с.

 

Рис. 1. Рентгенограммы образцов 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb: vохл = 0.1 (I), 60°С/с (II) (а); увеличенный фрагмент рентгенограммы в области 2θ = 40° (б)

 

Индицируемые на рентгенограммах пики относятся к фазам GaSb (ICDD PDF-2 [01-089-4166], пр. гр. F-43/m, кубическая структура, 216) и MnSb (ICDD PDF-2 [03-065-0388], пр. гр. P63/mmc, гексагональная структура, 194). Для образца, полученного при vохл = 60°С/с, пики более размытые и обладают меньшей интенсивностью по сравнению с образцом, полученным при vохл = 0.1°С/с, что свидетельствует об уменьшении размеров кристаллитов в композитах при увеличении скорости охлаждения. Оценка размеров по формуле Дебая-Шеррера качественно совпадала с микроструктурными исследованиями, выполненными с помощью оптической и электронной микроскопии. Средние размеры кристаллитов MnSb составляли 7 мкм при vохл = 0.1°С/с и 0.6 мкм при vохл = 60 С/с. Форма основного пика антимонида марганца на рентгенограмме свидетельствовала об уменьшении размеров кристаллитов MnSb с увеличением скорости кристаллизации (рис. 1б).

Таким образом, для эвтектического композита при увеличении скорости охлаждения в ~600 раз размер кристаллитов ферромагнетика MnSb уменьшался в ~10 раз. Аналогичные результаты были получены для образцов заэвтектического состава 30 мол. % GaSb и 70 мол. % MnSb. На рис. 2 представлены рентгенограммы для образцов, полученных при vохл = 0.1°С/с (I) и 60°С/с (II). На рентгенограммах интенсивности пиков для незакаленных образцов были больше, чем для закаленных. Характерное изменение ширины и формы основного пика антимонида марганца свидетельствовало о зависимости размера кристаллитов MnSb от скорости охлаждения (рис. 2).

 

Рис. 2. Рентгенограммы образцов 30 мол. % GaSb–70 мол. % MnSb: vохл = 0.1 (I), 60°С/с (II) (а); увеличенный фрагмент рентгенограммы в области 2θ = 40° (б)

 

Следует отметить, что уменьшение размеров кристаллитов для эвтектического состава происходило интенсивнее по сравнению с завтектическим.

Микроструктурные исследования дополняли результаты РФА, а также подтверждали эвтектический характер взаимодействия в системе GaSb–MnSb и влияние скорости охлаждения расплава на размер кристаллитов антимонида марганца. На рис. 3 представлены микроструктуры образцов состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb, полученных при разных скоростях охлаждения: vохл = 0.1°С/с (а), 60°С/с (б). В случае vохл = 0.1°С/с средний размер кристаллитов антимонида марганца составлял ~7 мкм, при vохл = 60°С/с – ~0.6 мкм.

 

Рис. 3. Микроструктуры образцов состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb, полученных при vохл = 0.1 (а), 60°С/с (б)

 

Сравнение представленных микроструктур позволяет сделать вывод, что в случае закаленного образца распределение ферромагнитной фазы MnSb более равномерное.

Результаты микроструктурных исследований заэвтектического состава 30 мол. % GaSb–70 мол. % MnSb были аналогичными. Образцы состояли из фаз GaSb и MnSb, размеры которых уменьшались с ростом температуры охлаждения расплава. При vохл = 0.1°С/с средний размер кристаллитов антимонида марганца составлял 20 мкм, при vохл = 60°С/с – 3 мкм.

Эвтектический характер взаимодействия в системе GaSb–MnSb хорошо подтверждает рис. 4, на котором представлена микроструктура закаленного образца состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb с элементным картированием. Такой вид микроструктуры типичен для эвтектики ламинарного типа.

 

Рис. 4. Микроструктура закаленного образца состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb с картированием элементного состава

 

Исследование магнитных свойств композитов показало, что они являются ферромагнетиками, величина намагниченности в них возрастала с увеличением содержания MnSb. На рис. 5 и 6 представлены температурные зависимости удельной намагниченности образцов 30 мол. % GaSb–70 мол. % MnSb и 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb соответственно, полученных при различных скоростях охлаждения расплава.

На всех зависимостях наблюдается температурный гистерезис удельной намагниченности, что может быть связано с перераспределением входящих в состав магнитных кластеров MnSb ионов марганца.

Известно, что температура Кюри ферромагнитного MnSb составляет порядка 600 К [15]. В композитных сплавов она ниже, в нашем случае температуру Кюри определяли по максимуму первой производной температурной зависимости намагниченности (Δσ/ΔT) в режиме как нагрева, так и охлаждения (см. вставки на рис. 5 и 6). В режиме нагрева она всегда ниже, что обусловлено стабилизацией магнитных кластеров. Для закаленных образцов температура Кюри была выше и составляла 519 К для состава 30 мол. % GaSb–70 мол. % MnSb и 544 К для 59 мол. % GaSb–41 мол. %MnSb. Величина удельной намагниченности при температуре жидкого азота для закаленных образцов составляет 70.40 и 36.00 A м2/кг соответственно, что связано с увеличением доли магнитных кластеров MnSb.

 

Рис. 5. Температурные зависимости величины удельной намагниченности и магнитной восприимчивости образцов составов: 30 мол % GaSb–70 мол % MnSb, а — при vохл = 0.1°C/с; б — при vохл = 60°C/с

 

Рис. 6. Температурные зависимости удельной намагниченности образцов состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb при vохл = 0.1 (а), 60°С/с (б)

 

Магнетосопротивление было измерено при 300 К в магнитных полях до 0.27 Тл. Для образца состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb при vохл = 60°С/с оно было отрицательным. Сопротивление падало до магнитного поля насыщения 0.13 Тл (рис. 7, кривая 1), а затем немного увеличивалось, что обусловлено воздействием силы Лоренца.

 

Рис. 7. Магнетосопротивление композитов при Т = 300 K: 1 – 70 мол. % MnSb, 2 – 41 мол. % MnSb

 

На рис. 8 представлены температурные зависимости электрического сопротивления для синтезированных образцов как в отсутствие, так и при наличии магнитного поля. С ростом температуры наблюдалось линейное увеличение сопротивления, что характерно для металлического типа проводимости. Влияние магнитного поля на сопротивление наблюдалось только для образца состава 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb, полученного при vохл = 60°С/с. Появление отрицательного магнетосопротивления коррелировало с размерами включений ферромагнитной фазы.

 

Рис. 8. Температурные зависимости электрического сопротивления в интервале температур 85–300 К композитов 30 мол. % GaSb–70 мол. % MnSb (1, 2), 59 мол. % GaSb–41 мол. % MnSb (3, 4), полученных при vохл = 60°/с без магнитного поля (1, 3) и в магнитном поле 0.27 Тл (2, 4). 30мол % GaSb–70 мол % MnSb (1, 2); 59 мол % GaSb – 41 мол % MnSb (3, 4)

 

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комплексом методов физико-химического анализа на сплавах эвтектического и заэвтектического составов системы GaSb–MnSb, полученных при разных скоростях охлаждения, установлено влияние дисперсности на электромагнитные свойства. Показано, что сплавы являлись ферромагнетиками, их намагниченность возрастала с увеличением содержания MnSb, при этом температура Кюри зависела от дисперсности и увеличивалась с уменьшением размера кристаллитов.

Однородность распределения фаз в сплавах повышалась при увеличении скорости кристаллизации расплава. Для эвтектического состава, полученного при скорости 60°С/с, обнаружено наличие отрицательного магнетосопротивления. Вид кривых магнетосопротивления и наличие магнитного поля насыщения свидетельствовали о возникновении спиновой поляризации.

ФИНАНСИРОВАНИЕ РАБОТЫ

Исследования выполнены при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда № 21-73-20220.

КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ

Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

作者简介

М. Джалолиддинзода

Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”; Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук

编辑信件的主要联系方式.
Email: muhammad.9095@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва; Москва

А. Риль

Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук

Email: muhammad.9095@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва

А. Желудкевич

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению

Email: muhammad.9095@mail.ru
白俄罗斯, Минск

М. Теплоногова

Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук

Email: muhammad.9095@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва

А. Биктеев

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: muhammad.9095@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва

С. Маренкин

Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук

Email: muhammad.9095@mail.ru
俄罗斯联邦, Москва

参考

  1. Iqbal M.Z., Qureshi N.A., Hussain G. Recent Advancements in 2D-Materials Interface Based Magnetic Junctions for Spintronics // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 457. P. 110–125. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2018.02.084
  2. Van D. P., Liu Z., Roy W.V., Motsnyi V.F., Sawicki M., Borghs G., Boeck D. J. Very High Spin Polarization in GaAs by Injection from A (Ga, Mn) As Zener Diode // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 3495–3497. https://doi.org/10.1063/1.1738515
  3. Ферт А. Происхождение, развитие и перспективы спинтроники // Успехи физ. наук. 2008. Т. 178. № 12. С. 1336–1348. https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200812f.1336
  4. Огнев А.В., Самардак А.С., Воробьев Ю.Д., Чеботкевич Л.А. Магнитная анизотропия Co/Cu/Co пленок с косвенной обменной связью // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 6. С. 1054–1057.
  5. Baibich M. N., Broto J. M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Petroff F., Etienne P., Creuzet G., Friederich A., Chazelas J. Giant Magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr Magnetic Superlattices // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 61. P. 2472–2475. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.61.2472
  6. Moodera J.S., Lisa R. Kinder, Terrilyn M. Wong, Meservey R. Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. P. 3273–3276. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.74.3273
  7. Wang С., Cao Y., Kobayashi N., Ohnuma S., Masumoto H. Structure and Tunneling Magneto-Dielectric Properties of Co–SrF2 Nano Granular Thin Films // AIP Adv. 2021. V. 11. P. 085224. 1–6. https://doi.org/10.1063/5.0058707
  8. Furubayashi T., Nakatani I. Giant Magnetoresistance in Granular Fe MgF2 Films // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 6258–6260. https://doi.org/10.1063/1.362025
  9. Маренкин С.Ф., Новодворский О.А., Баранов В.В., Трухан В.М., Шёлковая Т.В., Струц А.М. Технология получения, электрические и Магнитные свойства пленок эвтектики системы GaSb–MnSb // Докл. Белорусского гос. ун-та информатики и радиоэлектроники (Доклады “БГУИР”). 2016. № 5 (99). С. 5–10.
  10. Кочура А.В., Захвалинский В.С., Аунг З.Х., Риль А.И., Пилюк Е.А., Кузьменко А.П., Аронзон Б.А., Маренкин С. Ф. Синтез магнетронным распылением и структура тонких пленок арсенида кадмия // Неорган. материалы. 2019. Т. 55. № 9. С. 933–940. https://doi.org 10.1134/S0002337X19090057
  11. Fedorchenko I.V., Kushkov A.R., Gaev D.S., Rabinovich O.I., Marenkin S.F., Didenko S.I., Legotin S.A., Orlova M.N., Krasnov A.A. Growth Method for AIIIBV and AIVBVI Heterostructures // J. Cryst. Growth. 2018. V. 483. P. 245–250. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.12.013
  12. Маренкин С.Ф., Новодворский О.А., Шорохова А.В., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Кочура А.В., Федорченко И.В., Храмова О.Д., Тимофеев А.В. Cинтез магнитных пленок состава эвтектики системы GaSb–MnSb методом импульсного лазерного осаждения // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 9. C. 973–978. https://doi.org 10.7868/S0002337X14090085
  13. Маренкин С.Ф., Изотов А.Д., Федорченко И.В., Новоторцев В.М. Синтез магнитогранулированных структур в системах полупроводник–ферромагнетик // Журн. неорган. химии. 2015. Т. 60. № 3. С. 343–348. https://doi.org 10.7868/S0044457X15030149
  14. Кузнецов Н.Т., Чудинова Н.Н., Розанов И.А. Анализ и синтез, гармония и контрапункт // Вестн. РАН. 2004. Т. 74. № 5. С. 460–476.
  15. Teramoto I., Van Run A.M.J.G. The Existence Region and the Magnetic and Electrical Properties of MnSb // J. Phys. Chem. Solids. 1968. V. 29. № 2. P. 347–352. https://doi.org/10.1016/0022-3697(68)90080-2
  16. Allen J.W., Mikkelsen J.C. Optical Properties of CrSb, MnSb, NiSb, and NiAs // Phys. Rev. B. 1977. V. 15. P. 2952–2960. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.15.2952
  17. Aldous J.D., Burrows C.W., Sánchez A.M., Beanland R., Maskery I., Bradley M.K., Dias M.S., Staunton J.B., Bell G.R. Cubic MnSb: Epitaxial Growth of a Predicted Room Temperature Half-Metal // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 060403(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.060403
  18. Coehoorn R., Haas C., de Groot R.A. Electronic Structure of MnSb // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 1980–1996. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.31.1980
  19. Han G.C., Ong C.K., Liew T.Y. F. Magnetic and Magneto-Optical Properties of Mnsb Films on Various Substrates // J. Magn. Magn. Mater. 1999. V. 192(2). P. 233–237. https://doi.org/10.1016/S0304-8853(98)00545-9
  20. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гинберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы AIIBV. М.: Наука, 1978. 256 с.
  21. Akahane K., Yamamoto N., Gozu S., Ohtani N. Heteroepitaxial Growth of GaSb on Si (001) Substrates // J. Cryst. Growth. 2004. V. 264. P. 21–25. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.12.041
  22. Gobeli G.W., Allen F.G. Photoelectric Properties of Cleaved GaAs, GaSb, InAs, and InSb Surfaces, Comparison with Si and Ge // Phys. Rev. A. 1965. V. 137. Р. 245–254. https://doi.org/10.1103/PhysRev.137.A245
  23. Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Труханов С.В., Федорченко И.В., Новоторцев В.М. Фазовые равновесия, электрические и магнитные свойства эвтектики системы GaSb–MnSb // Журн. неорган. химии. 2013. Т. 58. № 11. С. 1478–1483. https://doi.org 10.7868/S0044457X13110135
  24. Пашкова О.Н., Изотов А.Д., Саныгин В.П., Филатов А.В. Ферромагнетизм сплава GaSb (2% Mn) // Журн. неорган. химии. 2014. Т. 59. № 11. С. 1570–1573. https://doi.org 10.7868/S0044457X1411018X
  25. Маренкин С.Ф., Чернавский П.А., Риль А.И., Панкина Г.В., Федорченко И.В., Козлов В.В. Влияние дисперсности на калориметрические и магнитные свойства ферромагнитной фазы в композиционном сплаве эвтектического состава системы ZnSnAs2–MnAs // Журн. неорган. химии. 2019. Т. 64 № 12. С. 1258–1262. https://doi.org 10.1134/S0044457X19120080
  26. Глезер А.М., Пермякова И.Е. Нанокристаллы, закаленные из расплава. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2012. 360 с.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
2. Fig. 1. X-ray diffraction patterns of 59 mol% GaSb-41 mol% MnSb samples: vohl = 0.1 (I), 60°C/s (II) (a); enlarged fragment of the X-ray pattern in the region 2θ = 40° (b)

下载 (67KB)
3. Fig. 2. X-ray diffraction patterns of 30 mol% GaSb-70 mol% MnSb samples: vohl = 0.1 (I), 60°C/s (II) (a); enlarged fragment of the X-ray pattern in the region 2θ = 40° (b)

下载 (75KB)
4. Fig. 3. Microstructures of samples of composition 59 mol% GaSb-41 mol% MnSb obtained at vohl = 0.1 (a), 60°C/s (b)

下载 (768KB)
5. Fig. 4. Microstructure of the quenched sample of composition 59 mol% GaSb-41 mol% MnSb with elemental composition mapping

下载 (314KB)
6. Fig. 5. Temperature dependences of specific magnetisation and magnetic susceptibility of samples of compositions: 30 mol% GaSb-70 mol% MnSb, a - at vohl = 0.1°C/s; b - at vohl = 60°C/s

下载 (209KB)
7. Fig. 6. Temperature dependences of specific magnetisation of samples of composition 59 mol% GaSb-41 mol% MnSb at vohl = 0.1 (a), 60°C/s (b)

下载 (207KB)
8. Fig. 7. Magnetoresistance of composites at T = 300 K: 1 - 70 mol% MnSb, 2 - 41 mol% MnSb

下载 (61KB)
9. Fig. 8. Temperature dependences of electrical resistivity in the temperature range 85-300 K of composites 30 mol % GaSb-70 mol % MnSb (1, 2), 59 mol % GaSb-41 mol % MnSb (3, 4) obtained at vohl = 60°/s without magnetic field (1, 3) and in a magnetic field of 0.27 Tesla (2, 4). 30 mol % GaSb-70 mol % MnSb (1, 2); 59 mol % GaSb-41 mol % MnSb (3, 4)

下载 (67KB)

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».