Effect of an Electric Field on the Crystallization Behavior of Amorphous TlIn1–xSnxSe2 Films

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Crystallization kinetics of 30-nm-thick amorphous TlIn1–хSnx2 films produced by thermal evaporation under high vacuum in a dc electric field E = 3000 V/cm have been studied by kinematic electron diffraction. The results demonstrate that the formation of the crystal structure of the amorphous films during heat treatment follows Avrami–Kolmogorov relations. Kinetic curves of the phase transformation demonstrate the effect of an electric field on the temperature range of film crystallization and on the activation energies for nucleation and subsequent nucleus growth. The total activation energy for the crystallization process has been determined to be Etotal = 44.92 kcal/mol. The observed diffraction lines of the polycrystalline TlIn0.93Sn0.072 films in their kinematic electron diffraction patterns can be indexed in tetragonal symmetry (sp. gr.  = \( D_{{4h}}^{{18}} \)-I4/mcm [12]) with unit-cell parameters a = b = 0.8358 nm and c = 0.7086 nm. After storage of the films in vacuum at room temperature for more than two months, no changes were detected in their quality or diffraction pattern.

Авторлар туралы

E. Alekperov

Baku State University, AZ1148, Baku, Azerbaijan

Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

S. Jabarov

Baku State University, AZ1148, Baku, Azerbaijan

Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

T. Darzieva

Baku State University, AZ1148, Baku, Azerbaijan

Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

G. Ibragimov

Abdullaev Institute of Physics, Academy of Sciences of Azerbaijan, AZ1143, Baku, Azerbaijan

Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131

A. Nazarov

Abdullaev Institute of Physics, Academy of Sciences of Azerbaijan, AZ1143, Baku, Azerbaijan

Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131

S. Farzaliev

Abdullaev Institute of Physics, Academy of Sciences of Azerbaijan, AZ1143, Baku, Azerbaijan

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131

Әдебиет тізімі

  1. Nowosielski R., Zajdel A., Lesz S., Kostrubiec B., Stokłosa Z. Crystallization of Amorphous Co77Si11.5B11.5Alloy // Arch. Mater. Sci. Eng. 2007. V. 28. № 3. P. 141–148.
  2. Пашаев А.М., Джафаров Т.Д. Физические основы наноэлектроники. Баку. 2014. 88 с.
  3. Kavetskyy T.S., Shpotyuk O.I., Boyko V.T. Void-species Nanostructure of Chalcogenide Glasses Studied with FSDP-related XRD // J. Phys. Chem. Solids. 2007. V. 68. № 5–6. P. 712–715.
  4. Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. М.: Физматкнига, 2012. 363 с.
  5. Sanghera J.S., Florea C.M., Shaw L.B., Pureza P. et al. Non-Linear Properties of Chalcogenide Glasses and Fibers// J. Non-Cryst. Solids. 2008. V. 354. № 2–9. P. 462–467.
  6. Kovanda V., Mir Vicek, Jain H. Stmcture of As–Se and As–P–Se Glasses Studied by Raman Spectroscopy // J. Non-Cryst. Solids. 2003. V. 326–327. P. 88–92.
  7. Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Алиева Н.А., Гусейнов Э.К. и др. Проводимость по локализованным состояниям системы твердых растворов (TlInSe2)1–x(TlGaTe2)x // ФТП. 2015. Т. 49. B. № 12. С. 1704–1709.
  8. Ismailov D.I., Aliyeva M.F., Alekperov E.Sh., Aliyev F.I. Electron Diffraction Investigation of Structural Diversity of Amorphous Films of Polymorphic TlInS2 // Semiconductors. 2003. V. 37. P. 744–747.
  9. Авилов А.С. Прецизионная электронография: Дис. ... докт. физ.-мат. наук: 01.04.18. М., 1999. 274 с.
  10. Кулыгин А.К., Кулыгин К.В., Авилов А.С. Новые подходы к прецизионным измерениям дифракционных картин в электронографии // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 2. С. 325–334. https://doi.org/10.31857/S0023476120020149
  11. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 431 с.
  12. Panaxov M.M., Alekperov E.Sh., Qarayev E.S., Sadraddinov S.A. et al. Phase Transition at Thermal Treatment of TlIn1–xSnxSe2 Amorphous Films // AIP Fizika. 2020. V. 26. № 4. P. 28–31.
  13. Чопра К. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1992. 435 с.

Қосымша файлдар


© Э.Ш. Алекперов, С.Г. Джабаров, Т.А. Дарзиева, Г.Б. Ибрагимов, А.М. Назаров, С.С. Фарзалиев, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».