Определение параметров собственных тепловых импедансов силовых кристаллов IGBT-модуля
- Авторы: Вилков Е.А., Ильин М.В.
- Выпуск: Том 7, № 11 (2019)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 07.04.2025
- Статья одобрена: 07.04.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/286742
- ID: 286742
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В статье рассматривается тепловая модель IGBT-модуля на основе дискретного представления СПП. Предложен подход к определению собственных тепловых импедансов силовых кристаллов в составе IGBT-модуля для формирования тепловой модели на основе электротепловой аналогии. Данная модель учитывает зависимость теплового сопротивления и тепловой ёмкости силового кристалла от его расположения в модуле.
Об авторах
Е. А. Вилков
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
М. В. Ильин
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Ilyin M., Bobrov M., Lapshina V., Briz F., Anuchin A. Analysis of the influence of the switching strategy on the IGBTs temperature in AC drives // 2016 57th International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON). – Riga, 2016. – P. 1–6.
- Ilyin M., Popov A., Briz F., Gulyaev I. On-line temperature monitoring of power modules in AC drives // 2017 19th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'17 ECCE Europe). – Warsaw, 2017. – P. 1–10.
- Thermal Equivalent Model of IGBT Modules 12th Mar.’15 LD-ES-150379 © Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. – 2015.
- Bahman A., Ma K., Blaabjerg F. A Lumped Thermal Model Including Thermal Coupling and Thermal Boundary Conditions for High-Power IGBT Modules // IEEE Transactions on Power Electronics. – 2018. – P. 2518–2530.
Дополнительные файлы







