The Diffusion Stage of Silicon Carbide Growth at the Pyrocarbon–Liquid Silicon Interface
- Авторы: Sinani I.L.1, Bushuev V.M.2, Lunegov S.G.2
-
Учреждения:
- Perm National Research Polytechnic University
- JSC Ural Research Institute of Composites
- Выпуск: Том 54, № 7 (2018)
- Страницы: 1312-1314
- Раздел: Protective Coatings
- URL: https://ogarev-online.ru/2070-2051/article/view/204719
- DOI: https://doi.org/10.1134/S2070205118070195
- ID: 204719
Цитировать
Аннотация
The present paper is devoted to the study of a limiting stage of silicon carbide diffusion growth at the pyrocarbon–silicon melt interface. The main diffusion parameters of the process have been determined using a generalized kinetic equation and experimental data. The main kinetic law has been written for this stage.
Об авторах
I. Sinani
Perm National Research Polytechnic University
Автор, ответственный за переписку.
Email: Sinani.PGTU@yandex.ru
Россия, Perm, 614990
V. Bushuev
JSC Ural Research Institute of Composites
Автор, ответственный за переписку.
Email: uniikm@yandex.ru
Россия, Perm, 614014
S. Lunegov
JSC Ural Research Institute of Composites
Email: uniikm@yandex.ru
Россия, Perm, 614014
Дополнительные файлы
