English
Русский
简体中文
Kazakh
Português (Brasil)
Беттің Тақырыбы
Russian Physics Journal
ISSN 1064-8887 (Print) ISSN 1573-9228 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
  • Анықтамалық материалдар
    • Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
    • RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер elastic scattering forbidden states fracture hydrogen light atomic nuclei low and astrophysical energies magnetic field mechanical properties microhardness microstructure nanoparticles nuclear astrophysics phase composition plasma plastic deformation potential cluster model potential description radiative capture structure thermonuclear reactions total cross sections
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер elastic scattering forbidden states fracture hydrogen light atomic nuclei low and astrophysical energies magnetic field mechanical properties microhardness microstructure nanoparticles nuclear astrophysics phase composition plasma plastic deformation potential cluster model potential description radiative capture structure thermonuclear reactions total cross sections
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Dvoretsky, S. A.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 59, № 3 (2016) Physics of Semiconductors and Dielectrics Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
Том 60, № 10 (2018) Article Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films
Том 60, № 11 (2018) Article Admittance of MIS-Structures Based on HgCdTe with a Double-Layer CdTe/Al2O3 Insulator
Том 62, № 5 (2019) Article Admittance Characteristics of nBn Structures Based on Hgcdte Grown by Molecular Beam Epitaxy
Том 62, № 6 (2019) Physics of Semiconductors and Dielectrics Current-Voltage Characteristics of nBn Structures Based on Mercury Cadmium Telluride Epitaxial Films
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP