InGaAs/AlGaAs QWIP Heterostructures for Large-Format Focal Plane Arrays Photosensitive in the Spectral Range 3–5 μm
- Авторы: Dudin A.L.1, Katsavets N.I.1, Krasovitsky D.M.1, Kokin S.V.1, Chaly V.P.1, Shukov I.V.1
-
Учреждения:
- ZAO Svetlana-Rost
- Выпуск: Том 63, № 3 (2018)
- Страницы: 296-299
- Раздел: Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
- URL: https://ogarev-online.ru/1064-2269/article/view/199606
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226918030063
- ID: 199606
Цитировать
Аннотация
Photoelectric properties of different stressed InGaAs/AlGaAs heterostructures with quantum wells grown by the method of molecular beam epitaxy on GaAs substrates for mid-wavelength infrared largeformat photodetector arrays operating in the spectral range 3–5 μm have been investigated. It has been shown that the change in the composition of barrier layers leads to a significant shift of the photosensitivity spectra of such heterostructures.
Ключевые слова
Об авторах
A. Dudin
ZAO Svetlana-Rost
Автор, ответственный за переписку.
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
N. Katsavets
ZAO Svetlana-Rost
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
D. Krasovitsky
ZAO Svetlana-Rost
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
S. Kokin
ZAO Svetlana-Rost
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
V. Chaly
ZAO Svetlana-Rost
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
I. Shukov
ZAO Svetlana-Rost
Email: a.dudin@svrost.ru
Россия, St. Petersburg, 194156
Дополнительные файлы
