InGaAs/AlGaAs QWIP Heterostructures for Large-Format Focal Plane Arrays Photosensitive in the Spectral Range 3–5 μm

A. L. Dudin; N. I. Katsavets; D. M. Krasovitsky; S. V. Kokin; V. P. Chaly; I. V. Shukov

doi:10.1134/S1064226918030063

InGaAs/AlGaAs QWIP Heterostructures for Large-Format Focal Plane Arrays Photosensitive in the Spectral Range 3–5 μm

Авторлар: Dudin A.L.¹, Katsavets N.I.¹, Krasovitsky D.M.¹, Kokin S.V.¹, Chaly V.P.¹, Shukov I.V.¹
Мекемелер:
1. ZAO Svetlana-Rost
Шығарылым: Том 63, № 3 (2018)
Беттер: 296-299
Бөлім: Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
URL: https://ogarev-online.ru/1064-2269/article/view/199606
DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226918030063
ID: 199606

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Photoelectric properties of different stressed InGaAs/AlGaAs heterostructures with quantum wells grown by the method of molecular beam epitaxy on GaAs substrates for mid-wavelength infrared largeformat photodetector arrays operating in the spectral range 3–5 μm have been investigated. It has been shown that the change in the composition of barrier layers leads to a significant shift of the photosensitivity spectra of such heterostructures.