Lasers Based on Quantum Well-Dots Emitting in the 980- and 1080-nm Optical Ranges


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The main characteristics of edge-emitting lasers with active regions based on nanoheterostructures of a new type—quantum well-dots (QWDs) operating at various wavelengths—are compared. The QWD structures operating at 980- and 1080-nm wavelengths demonstrated minimum values of threshold current density (160 and 125 A/cm2), high internal quantum efficiency (74 and 85%), and low internal losses (1.1 and 0.9 cm–1), respectively.

Об авторах

A. Nadtochiy

St. Petersburg Academic University, Nanotechnology Research and Education Center, Russian Academy of Sciences; Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National University of Information Technology, Mechanics and Optics (ITMO University)

Автор, ответственный за переписку.
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101

S. Mintairov

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Kalyuzhnyy

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

Yu. Shernyakov

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

G. Kornyshov

St. Petersburg Academic University, Nanotechnology Research and Education Center, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National University of Information Technology, Mechanics and Optics (ITMO University)

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101

A. Serin

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

A. Payusov

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

V. Nevedomsky

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Gordeev

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

M. Maximov

St. Petersburg Academic University, Nanotechnology Research and Education Center, Russian Academy of Sciences; Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National University of Information Technology, Mechanics and Optics (ITMO University)

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101

A. Zhukov

St. Petersburg Academic University, Nanotechnology Research and Education Center, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National University of Information Technology, Mechanics and Optics (ITMO University)

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).