Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of epitaxial stresses on the excess-carrier dynamics and the terahertz radiation spectrum of the InyGa1–yAs films have been investigated by optical pump-probe and terahertz time-domain spectroscopy. It has been demonstrated that a InyGa1–yAs film with a higher mechanical stress has the shorter excesscarrier lifetime and broader terahertz radiation spectrum.

Об авторах

D. Khusyainov

Moscow Technological University (MIREA)

Автор, ответственный за переписку.
Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 119454

A. Buryakov

Moscow Technological University (MIREA)

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 119454

V. Bilyk

Moscow Technological University (MIREA)

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 119454

E. Mishina

Moscow Technological University (MIREA)

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 119454

D. Ponomarev

Institute of Microwave Semiconductor Electronics

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 117105

R. Khabibullin

Institute of Microwave Semiconductor Electronics

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 117105

A. Yachmenev

Institute of Microwave Semiconductor Electronics

Email: Dinar1434429@mail.ru
Россия, Moscow, 117105

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).