Отправить статью по E-mail Extension of the Mott–Gurney Law for a Bilayer Gap
- Авторы: Dubinov A.E.1,2,3, Kitayev I.N.1,2,3
-
Учреждения:
- Russian Federal Nuclear Center
- National Research Nuclear University MEPhI
- Sarov Physicotechnical Institute
- Выпуск: Том 63, № 4 (2018)
- Страницы: 467-470
- Раздел: Theoretical and Mathematical Physics
- URL: https://ogarev-online.ru/1063-7842/article/view/201076
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218040096
- ID: 201076
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Steady drift states of an electron flow in a planar gap filled with a bilayer dielectric have been considered. Exact mathematical formulas have been derived that describe the distributions of the electrostatic potential and space charge limited electron flow current (extended Mott–Gurney law for a bilayer diode).
Об авторах
A. Dubinov
Russian Federal Nuclear Center; National Research Nuclear University MEPhI; Sarov Physicotechnical Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: dubinov-ae@yandex.ru
Россия, pr. Mira 37, Sarov, Nizhny Novgorod oblast, 607188; Kashirskoe sh. 31, Moscow, 115409; ul. Dukhova 6, Sarov, Nizhny Novgorod oblast, 607186
I. Kitayev
Russian Federal Nuclear Center; National Research Nuclear University MEPhI; Sarov Physicotechnical Institute
Email: dubinov-ae@yandex.ru
Россия, pr. Mira 37, Sarov, Nizhny Novgorod oblast, 607188; Kashirskoe sh. 31, Moscow, 115409; ul. Dukhova 6, Sarov, Nizhny Novgorod oblast, 607186
Дополнительные файлы
