Field Frequency Variation during Plasma-Chemical Deposition of Silicon-Carbon Films as a Method for Their Structural Modification

A. I. Popov; Попов А. И.; A. D. Barinov; Баринов А. Д.; V. M. Yemets; Емец В. М.; M. Yu. Presnyakov; Пресняков М. Ю.; T. S. Chukanova; Чуканова Т. С.

doi:10.31857/S1028096023100175

Изменение частоты поля при плазмохимическом осаждении кремний-углеродных пленок как метод их структурной модификации

Авторы: Попов А.И.¹^,2, Баринов А.Д.¹^,2, Емец В.М.¹, Пресняков М.Ю.³, Чуканова Т.С.¹
Учреждения:
1. Национальный исследовательский университет “МЭИ”
2. Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
3. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Выпуск: № 10 (2023)
Страницы: 22-26
Раздел: Статьи
URL: https://ogarev-online.ru/1028-0960/article/view/141022
DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023100175
EDN: https://elibrary.ru/GVECJN
ID: 141022

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Исследовано влияние частоты электрического поля в диапазоне от 0.1 до 2.0 МГц при плазмохимическом осаждении алмазоподобных кремний-углеродных пленок на их химический состав, структуру и электрофизические свойства. Показано, что пленки, получаемые во всем исследованном диапазоне частот, имеют аморфную структуру с постоянным, в пределах точности измерений, химическим составом. Вместе с тем морфология поверхности пленок и их электрофизические свойства существенным образом зависят от частоты электрического поля при плазмохимическом осаждении. Это позволяет использовать изменение частоты поля при изготовлении пленок в качестве метода управления их свойствами. Определен диапазон частот, обеспечивающий наиболее эффективную модификацию электрофизических свойств.

Ключевые слова

кремний-углеродные пленки, модификация свойств, частота, структура, состав, морфология, электропроводность.

Список литературы

Meskinis S., Tamuleciene A. // Mater. Sci. (Medžiagotyra). 2011. V. 17. № 4. P. 358. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770
Шупегин М.Л. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2013. Т. 79. № 2. С. 28.
Popov A. Disordered Semiconductors: Physics and Applications (2nd Edition). Pan Stanford Publishing, 2018. 330 p. https://doi.org/10.1201/b22346
Пресняков М.Ю., Попов А.И., Усольцева Д.С., Шупегин М.Л., Васильев А.Л. // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7–8. С. 59. https://doi.org/10.1134/S1995078014050139
Vencatraman C., Goel A., Lei R., Kester D., Outten C. // Thin Solid Films. 1997. V. 308–309. P. 173. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)00384-2
Pimenov S.M., Zavedeev E.V., Arutyunyan N.R., Zilova O.S., Barinov A.D., Presniakov M.Yu., Shupegin M.L. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 402. P. 126300. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.126300
Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю. // Неорг. материалы. 2017. Т. 53. № 7. С. 706. https://doi.org/10.1134/S0020168517070019
Попов А.И., Афанасьев В.П., Баринов А.Д., Бодиско Ю.Н., Грязев А.С., Мирошникова И.Н., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 9. С. 49. https://doi.org/10.1134/S0207352819090129
Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Кастро Арта Р.А., Колобов А.В., Кононов А.А., Овчаров А.В., Чуканова Т.С. // Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 11. С. 1844.
Barinov A.D., Popov A.I., Makarov A.A. // Proc. Eur. Modeling and Simulation Symposium, 2019. ISBN 978-88-85741-25-6; Affenzeller, Bruzzone, Longo and Pereira Eds. P. 42.
Yang W.J., Choa Y.-H., Sekino T. // Mater. Lett. 2003. V. 57. № 21. P. 3305 https://doi.org/10.1016/S0167-577X(03)00053-3
Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Чуканова Т.С., Шупегин М.Л. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. № 10. С. 1612. https://doi.org/10.1134/S1063783420100261
Баринов А.Д., Гуринович Т.Д., Попов А.И., Чуканова Т.С., Шапетина М.А., Шупегин М.Л. // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 844. https://doi.org/10.1134/S0020168520080026
Zavedeev E.V., Zilova O.S., Barinov A.D. // Diamond Related Mater. 2017. V. 74. P. 45. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.003
Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Бердников А.Е., Черномордик В.Д. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. Вып. 6. С. 442.
Шерченков А.А. // Материалы электронной техники. 2003. Т. 1. С. 48.
Yamaguchi T., Sakamoto N., Tagashira H. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 554. https://doi.org/10.1063/1.366722
Shimozuma M., Kitamori K., Ohno H., Hasegawa H., Tagashira H.J. // Electron. Mater. 1985. V. 14. P. 573.
Одномерные параметры шероховатости [Электронный ресурс] / Руководство пользователя Gwyddion. Режим доступа: http://gwyddion.net/ documentation/user-guide-ru/roughness-iso.html.
Лакеев С.Г., Мисуркин П.И., Поляков Ю.С., Тимашев С.Ф. и др. // Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): сб. науч. тр. М.: МЭИ, 2011. С. 5.
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 658 с.