Excited states of excitons in monolayers of transition metal dichalcogenides in reflectance spectra up to room temperature

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

The ground and excited states of A- and B-excitons in monolayers of MoSe2 and WSe2 were studied by optical reflectance spectroscopy in a wide range of temperatures up to room temperature. It has been shown that excited states are observed in the spectrum even at room temperature. Depending on the selected parameters of the heterostructure, the B-exciton line may be comparable in intensity to the A-exciton line.

作者简介

A. Brichkin

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Email: brich@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

G. Golyshkov

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

A. Chernenko

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

V. Bisti

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

参考

  1. Durnev M.V., Glazov M.M. // Phys. Usp. 2018. V. 61. No. 9. P. 825.
  2. Glazov M.M. // J. Chem. Phys. 2020. Art. No. 153034703.
  3. Wang G., Chernikov A., Glazov M.M. et al. // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90. Art. No. 021001.
  4. Zhao W., Ghorannevis Z., Chu L. et al. // ACS Nano. 2013. V. 7. P. 791.
  5. Chernikov A., Berkelbach T.C., Hill H.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113. Art. No. 076802.
  6. Chernikov A., van der Zande A.M., Hill H.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 115. Art. No. 126802.
  7. Goryca M., Li J., Stier A.V. et al. // Nature Commun. 2019. V. 10. P. 4172.
  8. Brichkin A.S., Golyshkov G.M., Chernenko A.V. // JETP. 2023. V. 136. No. 6. P. 760.
  9. Черненко А.В., Бричкин А.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 2. С. 245;
  10. Chernenko A.V., Brichkin A.S., Golyshkov G.M., Shevchun A.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 2. P. 161.
  11. Robert C., Semina M.A., Cadiz F. et al. // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. Art. No. 011001.
  12. Gerber I.C., Courtade E., Shree S. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 99. Art. No. 035443.
  13. Голышков Г.М., Бричкин А.С., Черненко А.В. // Физ. и техн. полупровод. 2024. Т. 58. № 5. С. 233.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).