Мақаланы E-mail арқылы жіберу Координационные полиэдры SiСn и SiCnSim в структурах кристаллов кремнийсодержащих аналогов углеводородов
- Авторлар: Карасев М.О.1, Фомина В.А.1, Карасева И.Н.2, Пушкин Д.В.1
-
Мекемелер:
- Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
- Самарский государственный технический университет
- Шығарылым: Том 98, № 2 (2024)
- Беттер: 101-116
- Бөлім: СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВА И КВАНТОВАЯ ХИМИЯ
- ##submission.dateSubmitted##: 22.09.2024
- ##submission.dateAccepted##: 22.09.2024
- ##submission.datePublished##: 23.09.2024
- URL: https://ogarev-online.ru/0044-4537/article/view/264417
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044453724020105
- EDN: https://elibrary.ru/RDBTKN
- ID: 264417
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Аннотация
С помощью метода пересекающихся сфер и полиэдров Вороного – Дирихле осуществлен кристаллохимический анализ 1124 соединений кремния с общей формулой CaHbSic (a, b, c – стехиометрические коэффициенты), структура которых содержала координационные полиэдры SiCn и SiCnSim. Установлено, что в структуре обсуждаемых соединений атомы кремния проявляют координационные числа 1–4 и 10. Рассмотрено влияние координационного числа, степени окисления и химической природы атомов окружения (C и Si) на основные характеристики полиэдров Вороного – Дирихле (ПВД) атомов кремния. Установлено существование единой линейной зависимости телесных углов граней ПВД, соответствующих валентным и невалентным контактам Si–C и Si–Si, от соответствующих межъядерных расстояний. Установлено наличие стереоэффекта неподеленной пары электронов атомов Si(II), входящих в состав комплексов Si(II)Cn (n = 2 или 10), проявляющегося, в частности, в смещении ядер атомов Si(II) из центров тяжести их ПВД (0.35–0.39 Å) и асимметрии координационной сферы.
Толық мәтін
Авторлар туралы
М. Карасев
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: maxkarasev@inbox.ru
Ресей, Самара
В. Фомина
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
Email: maxkarasev@inbox.ru
Ресей, Самара
И. Карасева
Самарский государственный технический университет
Email: maxkarasev@inbox.ru
Ресей, Самара
Д. Пушкин
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
Email: maxkarasev@inbox.ru
Ресей, Самара
Әдебиет тізімі
- Mu Q.C., Chen J., Xia C.G., Xu L.W. // Coord. Chem. Reviews. 2018. V. 374. Р. 93. https://doi.org/10.1016/j.ccr.2018.06.015.
- Komiyama T., Minami Y., Hiyama T. // ACS Catal. 2017. V. 7. № 1. P. 631. https://doi.org/10.1021/acscatal.6b02374.
- Эльшенбройх К. Металлоорганическая химия. М.: БИНОМ – Лаборатория знаний 2011. 746 с. [Elschenbroich C. Organometallchemie. Teubner Verlag, 2008.]
- Kang K., Nishimoto Y., Yasuda M. // J. Org. Chem. 2019. V. 84. № 21. P. 13345. https://doi.org/10.1021/acs.joc.9b01505.
- Gai L., Mack J., Lu H. et al. // Coord. Chem. Reviews. 2018. V. 285. P. 24. https://doi.org/10.1016/j.ccr.2014.10.009.
- Franz A.K., Wilson S.O. // J. Med. Chem. 2013. V. 56. № 2. P. 388. https://doi.org/10.1021/jm3010114.
- Cambridge Structural Database System, Version 5.32 (Crystallographic Data Centre, Cambridge, 2022).
- Karasev M.O., Karaseva I.N., Pushkin D.V. // Russ. J. Inorg. Chem. 2018. V. 63. № 3. P. 324. https://doi.org/10.1134/S0036023618030105 [Карасев М.О., Карасева И.Н., Пушкин Д.В. // Журн. неорган. химии. 2018. Т. 63. № 3. С. 307].
- Karasev M.O., Karaseva I.N., Pushkin D.V. // Ibid.2018. V. 63. № 8. P. 1032. https://doi.org/10.1134/S0036023618080107 [Карасев М.О., Карасева И.Н., Пушкин Д.В. // Там же. 2018. Т. 63. № 8. С. 996].
- Karasev M.O., Karaseva I.N., Pushkin D.V. // Ibid.2019. V. 64. № 7. P. 870. https://doi.org/10.1134/S003602361907009X [Карасев М.О., Карасева И.Н., Пушкин Д.В. // Там же. 2019. Т. 64. № 7. С. 714].
- Blatov V.A., Shevchenko A.P., Serezhkin V.N. // Russ. J. Coord. Chem. 1999. Т. 25. № 7. С. 453. [Блатов В.А., Шевченко А.П., Сережкин В.Н. // Координац. химия. 1999. Т. 25. № 7. С. 483.]
- Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденмоб В.Л. Современная кристаллография: В 4-х тт. Т. 1. М.: Наука, 1979. С. 161.
- Serezhkin V.N., Mikhailov Yu.N., Buslaev Yu.A. // Russ. J. of Inorganic Chemistry. 1997. V. 42. № 12. P. 1871. [Сережкин В.Н., Михайлов Ю.Н., Буслаев Ю.А. // Журн. неорган. химии. 1997. Т. 42. № 12. С. 2036]
- Ostendorf D., Saak W., Weidenbruch M., Marsmann H. // Organometallics. 2000. V. 19. № 24. P. 4938. https://doi.org/10.1021/om000714i.
- Kira M., Ishida S., Iwamoto T., Kabuto C. // J. of the American Chemical Society. 2002. V. 124. № 15. P. 3830. https://doi.org/10.1021/ja025522o.
- Tokitoh N., Shinohara A., Matsumoto T. et al. // Organometallics. 2007. V. 26. № 16. P. 4048. https://doi.org/10.1021/om700347z.
- Tokitoh N., Wakita K., Okazaki R. et al. // J. of the American Chemical Society. 1997. V. 119. № 29. P. 6951. https://doi.org/10.1021/ja9710924.
- Wakita K., Tokitoh N., Okazaki R. et al. // Ibid. 2000. V. 122. № 23. P. 5648. https://doi.org/10.1021/ja000309i.
- Kira M., Ishida S., Iwamoto T., Kabuto C. // Ibid. 1999. V. 121. № 41. P. 9722. https://doi.org/10.1021/ja9925305.
- Abe T., Tanaka R., Ishida S. et al. // Ibid.2012. V. 134. № 49. P. 20029. https://doi.org/10.1021/ja310391m.
- Jutzi P., Kanne D., Kruger C. // Angewandte Chemie, International Edition. 1986. V. 25. № 2. P. 164. https://doi.org/10.1002/anie.198601641.
- Gasper P.P., Beatty A.M., Chen T. et al. // Organometallics. 1999. V. 18. № 19. P. 3921. https://doi.org/10.1021/om990418+.
- Tsurusaki A., Kamiyama J., Kyushin S. // Journal of the American Chemical Society. 2014. V. 136. № 37. P. 12896. https://doi.org/10.1021/ja507279z.
- Taira K., Ichinohe M., Sekiguchi A. // Chemistry-A European Journal. 2014. V. 20. № 30. P. 9342. https://doi.org/10.1002/chem.201402482.
- Ishida S., Sugawara R., Misawa Y., Iwamoto T. // Angewandte Chemie, International Edition. 2013. V. 52. № 49. P. 12869. https://doi.org/10.1002/anie.201308517.
- Karni M., Apeloig Y., Takagi N., Nagase S. // Organometallics. 2005. V. 24. № 26. P 6319. https://doi.org/10.1021/om058033g.
- Auer D., Kaupp M., Strohmann C. // Ibid. 2005. V 24. № 26. P. 6331. https://doi.org/10.1021/om050499b.
- Yasuda H., Lee V.Ya., Sekiguchi A. // J. of the American Chemical Society. 2009. V. 131. № 18. P. 6352. https://doi.org/10.1021/ja901881z.
- Iwamoto T., Okita J., Kabuto C., Kira M. // J. of Organometallic Chemistry. 2003. V. 686. № 1–2. P. 105. https://doi.org/10.1016/S0022-328X(03)00436-4.
- Sekiguchi A., Kinjo R., Ichinohe M. // Science. 2004. V. 305. № 5691. P. 1755. https://doi.org/10.1126/science.1102209.
- Murata Y., Ichinohe M., Sekiguchi A. // J. of the American Chemical Society. 2010. V. 132. № 47. P. 16768. https://doi.org/10.1021/ja1091744.
- Корольков Д.В., Скоробогатов Г.А. Теоретическая химия. СПб.: Изд-во СПбГУ, 2004. 503 с.
- Serezhkin V.N., Buslaev Yu.A. // Russ. J. Inorg. Chem. 1997. V. 42. № 7. P. 1064 [Сережкин В.Н., Буслаев Ю.А. // Журн. неорган. хим. 1997. Т. 42. № 7. С. 1180].
- Блатов В.А., Полькин В.А., Сережкин В.Н. // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 3. С. 457.
- Егоров-Тисменко Ю.К. Кристаллография и кристаллохимия. КДУ. М.: 2005. 592 с.
- Сережкин В.Н., Пушкин Д.В., Сережкина Л.Б. // Координац. химия. 2008. Т. 34. № 10. С. 733.
Қосымша файлдар
Қосымша файлдар
Әрекет
1.
JATS XML
2.
Fig. 1. Distribution of valence angles in the case of CP compositions SiC4 (a), SiCnSi4-n (n = 2, 3) (b, c) and SiSi4 (d) as a function of the value of ∠XSiX (X = C, Si). The histograms are plotted in steps of 1°.
Жүктеу (206KB)
3.
Table 2_Fig. 1
Жүктеу (4KB)
4.
Table 2_Fig. 2
Жүктеу (2KB)
5.
Table 2_Fig. 3
Жүктеу (2KB)
6.
Table 2_Fig. 4
Жүктеу (17KB)
7.
Table 2_Fig. 5
Жүктеу (2KB)
8.
Table 2_Fig. 6
Жүктеу (17KB)
9.
Table 2_Fig. 7
Жүктеу (23KB)
10.
Table 2_Fig. 8
Жүктеу (16KB)
11.
Table 2_Fig. 9
Жүктеу (23KB)
12.
Table 2_Fig. 10
Жүктеу (14KB)
13.
Table 2_Fig. 11
Жүктеу (29KB)
14.
Table 2_Fig. 12
Жүктеу (23KB)
15.
Table 2_Fig. 13
Жүктеу (25KB)
16.
Table 2_Fig. 14
Жүктеу (22KB)
17.
Table 2_Fig. 15
Жүктеу (30KB)
18.
Table 2_Fig. 16
Жүктеу (19KB)
19.
Table 2_Fig. 17
Жүктеу (27KB)
20.
Table 2_Fig. 18
Жүктеу (28KB)
21.
Table 2_Fig. 19
Жүктеу (13KB)
22.
Table 2_Fig. 20
Жүктеу (12KB)
23.
Table 2_Fig. 21
Жүктеу (26KB)
24.
Table 2_Fig. 22
Жүктеу (24KB)
25.
Table 2_Fig. 23
Жүктеу (45KB)
26.
Table 2_Fig. 24
Жүктеу (11KB)
27.
Table 2_Fig. 25
Жүктеу (34KB)
28.
Table 2_Fig. 26
Жүктеу (16KB)
29.
Table 2_Fig. 27
Жүктеу (21KB)
30.
Table 2_Fig. 28
Жүктеу (5KB)
31.
Fig. 2. Schematic representation of the lateral overlap of sp2 hybrid orbitals of silicon atoms during the formation of a triple Si≡Si bond
Жүктеу (57KB)
32.
Fig. 3. Dependence of the solid angles W (expressed in % of 4p steradians) of the LDPE faces of silicon atoms in the SiSp and SiCnSim complexes on the interatomic distances Si–X, where X = C (black circles) or Si (white circles) corresponding to these faces
Жүктеу (80KB)
33.
Fig. 4. Distribution (d, j) for LDPE of silicon atoms that are part of the SiSp (a), SiSim (b) and SiCnSim (c) complexes. Black circles indicate C atoms, white ones indicate Si atoms
Жүктеу (309KB)
34.
Fig. 5. Distribution of LDPE of 4243 Si atoms depending on the number of faces (Nf) of polyhedra in Si sublattices of the crystal structure of organosilicon compounds
Жүктеу (95KB)
35.
Fig. 6. Distribution of interatomic distances in Si sublattices depending on the value of d(Si–Si). The histograms are constructed in 0.1 Å increments and take into account all distances d(Si–Si) ≤ 21 Å between atoms having a common LDPE face and forming KP compositions SiCN (a) and SiCnSim (b)
Жүктеу (105KB)
