Thin Film Formation During the Au Thermal Vacuum Evaporation at the (100) GaAs Substrate Surface

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The processes of formation of thin gold films on the surface substrate of gallium arsenide during evaporation in vacuum are investigated. The formation of gallium arsenide islands with a hexagonal lattice structure is detected. The influence of the conditions of manufacturing Au-GaAs contacts on the possibility of their use in microwave devices is discussed.

Sobre autores

T. Bryantseva

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS

Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow Region, 141190

V. Lyubchenko

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS

Email: lyubch@fireras.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow Region, 141190

I. Markov

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS

Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow Region, 141190

Yu. Ten

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS

Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow Region, 141190

Bibliografia

  1. Tung R.T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. № 1. Article No. 011304.
  2. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1995. Т. 40. № 8. С. 1306.
  3. Брянцева Т.А., Бобылев М.А., Лебедева З.М., Любченко Д.В. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2012. Т. 78. № 4. С. 41.
  4. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2023. Т 68. № 5. С. 461.
  5. Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.Е. и др. // РЭ. 2021. Т. 66. № 11. С. 1125.
  6. Mокроусов М., Зарубина О.Н. // Изв. Томского политехнического ун-та 2008. Т. 313. № 3. с. 25.
  7. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 561.
  8. Любченко В.Е., Брянцева Т.А., Марков И.А. и др. // РЭ. 2016. Т. 61. № 8. С. 901.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).