A Multirange Photodetector Based on the Effect of Photon Dragging Current Carriers in Germanium for High-Power Lasers in the Infrared Range


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A highly efficient model of a photodetector based on the effect of dragging free current carriers by photons in semiconductors is proposed, which makes it possible to quickly change the working length of a crystal element. In this case, it is possible to expand the range of measured pulse durations by reducing or increasing the photodetector sensitivity.

Авторлар туралы

V. Rogalin

Institute of Electrophysics and Electric Power, Russian Academy of Sciences; Tver State University

Email: kaplunov.ia@tversu.ru
Ресей, St. Petersburg, 191186 ; Tver, 170100

S. Filin

Plekhanov Russian Economical University

Email: kaplunov.ia@tversu.ru
Ресей, Moscow, 117997

I. Kaplunov

Institute of Electrophysics and Electric Power, Russian Academy of Sciences; Tver State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kaplunov.ia@tversu.ru
Ресей, St. Petersburg, 191186 ; Tver, 170100

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2019