Влияние легирования празеодимом на кристаллическую структуру и край оптического поглощения соединения TlGaS2

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Выращены монокристаллы твердых растворов на основе слоистого полупроводникового соединения TlGaS2 с добавлением до 2 мол. % редкоземельного элемента празеодима, получены их дифрактограммы. Исследован край оптического поглощения твердых растворов TlGaS2 в температурном интервале 100–200 К. Изучена температурная зависимость положения краевого экситонного пика для всех составов TlGaS2.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

П. Г. Исмаилова

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Автор, ответственный за переписку.
Email: p.ismayilova@physics.science.az
Узбекистан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

Н. З. Гасанов

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Азербайджан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

А. А. Гаджиева

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Азербайджан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

К. М. Гусейнова

Сумгаитский государственный университет

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Азербайджан, ул. Баку, 1, Сумгаит, AZ 5008

Список литературы

  1. Panich A.M. Electronic Properties and Phase Transitions in Low-Dimensional Semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. № 6. Р. 3–31. https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/29/293202
  2. Guseinov S.G., Guseinov G.D., Gasanov N.Z., Kyazimov S.B. Special Features of Exciton Absorption Spectra of А3В3X62-Type Layer Semiconductor Crystals // Phys. Status Solidi B. 1986. V. 133. № 1. K25–K30.
  3. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005 и 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/S0002337X13120129
  4. Горбань И.С., Охрименко О.Б. Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 // ФТТ. 2001. T. 43. Вып. 11. C. 1963–1965.
  5. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Optoelectronic and Electrical Properties of TlGaS2 Single Crystal // Phys. Status Solidi A. 2005. V. 202. № 13. P. 2501–2507. https://doi.org/10.1002/pssa.200521190
  6. Panich A.M., Sardarly R.M. Physical Properties of the Low Dimensional A3B6 and A3B3C62 Compounds. N. Y.: Nova Science, 2010. 287 p.
  7. Isaacs T.J., Hopkins R.H. Crystal Growth, Symmetry and Physical Properties of Thallium Gallium Disulfide, TlGaS2 // J. Cryst. Growth. Lett. Ed. 1975. V. 29. P. 121–122.
  8. Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Кристаллофизика сложных полупроводников на основе соединений типа TlBIIIC2VI, включающих редкоземельные элементы и переходные металлы // Изв. НАН Азербайджана. Физика и астрономия. 2017. № 2. C. 12–26.
  9. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнова С.С., Джабаров А.И., Лукичев В.Ф. Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2: Nd3+ на постоянном и переменном токе // ФТТ. 2022. Т. 64. № 4. С. 428–436. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
  10. Abdullaeva S.G., Belenkii G.L., Mamedov N.T. Near Band – Edge Optical Properties of TlGaS2xSe2(1–x) Mixed Crystals // Phys. Status Solidi B. 1980. V. 102. № 1. P. k19–k22.
  11. Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
  12. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев Н.А., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т., Сулейманов Р.А. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2 // ФТП. 1983. T. 17. Bып. 11. C. 2068–2070.
  13. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 89–127.
  14. Allakhverdiyev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A., Gasanov N.Z. Deformation Effects in Electronic Spectra of the Layered Semiconductors TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2 // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291–1298. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
  15. Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 11. C. 39–42.
  16. Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Seidov F.M. Some Physical Properties of the TlGaSe2-TlTmSe2 System // Scientific Collections of National Academy of Aviation of Azerbaijan. 2018. V. 20. № 4. P. 51–53.
  17. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005, 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/s0002337x13120129

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Дифрактограмма кристалла TlGaS2<0.1% Pr>.

Скачать (80KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Форма края поглощения монокристаллов TlGaS2<0.1% Pr> при 100 (1), 140 (2), 200К (3).

Скачать (127KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Температурные зависимости положения экситонного пика на краю поглощения соединений TlGaS2 (1), TlGaS2<0.1% Pr> (2), TlGaS2<0.5% Pr> (3), TlGaS2<2% Pr> (4).

Скачать (95KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Концентрационная зависимость положения экситонного пика на краю поглощения твердых растворов TlGaS2 при Т = 100 К.

Скачать (55KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».